キオクシアホールディングス株式会社

３【事業の内容】

当社及びその子会社（以下「当社グループ」という。）は、本書提出日現在、当社及び連結子会社22社（国内７社、海外15社）により構成されています。当社グループは、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行っています。当社グループ及び関連会社等６社（国内４社、海外２社）は、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行う、世界最大級（注）のフラッシュメモリ専業プレイヤーです。

（注） 出典：TechInsights Inc.“NAND Market Report Q1 2026”による。2025年４月から2026年３月におけるビット生産量ベース（Sandiskグループの生産量を含む。）

なお、当社は、有価証券の取引等の規制に関する内閣府令第49条第２項に規定する特定上場会社等に該当しており、これにより、インサイダー取引規制の重要事実の軽微基準については連結ベースの数値に基づいて判断することとなります。

当社グループの報告セグメントは「メモリ事業」単一でありますが、売上収益を製品の用途に応じたアプリケーション別に、「SSD & ストレージ」、「スマートデバイス」及び「その他」に区分しております。「SSD & ストレージ」には主にPC、データセンター、エンタープライズ向けSSD製品及びメモリ製品が含まれております。「スマートデバイス」にはスマートフォン、タブレット、テレビ等の民生機器、車載、産業機器等の用途で使用される制御機能付きの組み込み式メモリ製品が含まれています。「その他」にはSDメモリカード、USBメモリ等のリテール向け製品及び製造合弁会社３社経由で計上されるSandiskグループ向けの売上収益等が含まれています。

当社グループ及び関連会社等各社の報告セグメントにおける位置付けと製品分野別の事業内容は以下のとおりです。

（本書提出日現在）

報告セグメント

当社及び関係会社の位置付け

製造

販売

研究開発

その他サービス

メモリ事業

キオクシア㈱、キオクシア岩手㈱、キオクシアエンジニアリング㈱、キオクシアエネルギー・マネジメント㈱、キオクシア半導体台湾社、Solid State Storage Technology Corporation、フラッシュパートナーズ㈲、フラッシュアライアンス㈲、フラッシュフォワード合同会社、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス㈱

キオクシア㈱、キオクシアアメリカ社、キオクシアヨーロッパ社、キオクシア中国社、キオクシア韓国社、キオクシアシンガポール社、キオクシア台湾社、Solid State Storage Technology Corporation

キオクシア㈱、キオクシアエンジニアリング㈱、キオクシアシステムズ㈱、キオクシアテクノロジーUK社、キオクシアイスラエル社、Solid State Storage Technology Corporation

キオクシアエトワール㈱

当社グループのメモリ事業が開発・製造・販売しているNAND型フラッシュメモリとは、当社グループが1987年に発明し世界標準となった不揮発性半導体メモリ（注１）であり、大容量のデータ保存を可能にする記憶用デバイスです。スマートフォンで写真・動画などを保存するために使われるほか、身近な電子機器やデータセンター等においても、欠かすことのできないコアデバイス（基幹部品）となっています。当社グループは市場の要求に応えるために、フラッシュメモリの微細化（注２）による大容量化、及びコスト低減を推進してきました。もっとも、極度の微細化には電子同士が干渉しエラーが起きやすくなるという課題がありました。そこで当社グループではメモリセルを積み上げることで干渉を防ぐ積層化技術（注３）により、大容量化と信頼性の向上、低消費電力化を実現したBiCS FLASH™を開発しました。本書提出日現在は第８世代BiCS FLASH™を量産しています。第８世代BiCS FLASH™には、高メモリ密度の実現により高性能動作を図るため、CBA（CMOS directly Bonded to Array）（注４）とOPS（On Pitch SGD）（注５）という新技術が用いられています。近年、フラッシュメモリ市場においては、データセンター、エンタープライズ向けSSDの需要が拡大しており、これまで以上に大容量化、信頼性の向上、低消費電力化が求められています。当社グループは、更なる大容量化、高速化に向けた次世代の半導体メモリの開発も進めています。

フラッシュメモリチップは、当社グループの四日市工場及び北上工場において製造しています。半導体は材料となるシリコンウエハー上に微細な集積回路を作りこむため工程は数百に及び、製造プロセスの効率化は至上命題です。四日市工場及び北上工場では、生産効率の向上と生産コストの低減に向けた生産ラインの自動化を徹底しており、特に四日市工場では2022年10月に竣工した四日市第７製造棟を含む６つの製造棟を棟間搬送で連結する統合生産体制を確立しております。さらに、高い生産効率を実現するため、開発と量産の拠点一体化、AI・ビッグデータを活用したスマートファクトリー化も進めております。

また、今後も続くと想定される３次元フラッシュメモリの需要に継続的に対応するため、BiCS FLASH™の生産能力の増強を目的として、2022年４月から北上工場第２製造棟（Ｋ２棟）の建設を開始し、2025年９月に稼働を開始しております。四日市既存製造棟と同様に、地震の揺れを吸収する免震構造を採用するとともに、最新の省エネ製造設備の導入や再生可能エネルギーの利用などで環境面も重視した工場となっております。また、四日市工場とともに人工知能（AI）を活用した生産システムの導入などを推進し、全社製造オペレーションの生産性及びフラッシュメモリ製品の品質をさらに向上させます。今後も大容量化に向けた技術開発、生産体制の拡大、コントローラ（ICチップ／ファームウェア）開発等の強化により、技術力とコスト競争力の両面における長期的な優位性の確保に努めてまいります。

なお、当社グループは、Sandiskグループとの間で製造合弁契約を締結し、キオクシア株式会社とSandiskグループが共同出資する製造合弁会社３社を設立しています。合弁契約に基づき、製造合弁会社３社が当社グループ及びSandiskグループからの資金借り入れ又は製造合弁会社３社によるリース契約により生産設備を調達し、当社グループの四日市工場及び北上工場に設置、キオクシア株式会社が製造合弁会社３社から製造委託を受け、無償貸与された生産設備にて生産をしております。当社グループとSandiskグループは、合弁事業を通じて四日市工場と北上工場の生産能力合計の約80％を共有し、当社グループが残りの約20％を単独で所有しています。合弁契約に基づき、当社グループとSandiskグループは、それぞれ製造合弁会社３社が所有する生産能力の各半分（すなわち、上記２工場の生産能力合計の各約40％）を割り当てられている一方、当社グループは上記２工場の運営を行い、製造ノウハウを有しています。また、当社グループは、製造合弁会社３社各社の議決権の50.1％を所有しており、IFRSに基づく共同支配事業として、その資産、負債、収益及び費用の50％を連結財務諸表に計上しています。なお、当社グループ及びSandiskグループは、2026年１月に四日市工場におけるこの製造合弁会社の契約期間を、従来の2029年12月31日から2034年12月31日に５年間延長しました。この契約期間延長にあわせて、契約条件も見直し、当社グループは、Sandiskグループに対する製造サービスの対価として、2026年から2029年にかけて、合計11億6,500万米ドルを受領する予定です。これにより、当社グループはSandiskグループとの合弁事業を当社グループが提供する戦略的及び技術的価値、並びに生産プロセスが創出するNAND市場での付加価値の対価を反映したモデルへと転換しました。

SSD & ストレージの主要製品であるSSD（Solid State Drive）は、半導体メモリ（フラッシュメモリ）を記憶素子とするストレージ製品です。HDDに比べて読み出し性能、衝撃・振動等の耐環境性、静寂性に優れ、待機時の消費電力が低いことも特徴の一つです。AIを搭載したスマートフォンやPC、データセンターを含むAI関連の機器やサービスの普及等により、今後も成長が見込まれています。当社グループはクライアント及びエンタープライズ製品において最先端PCIe®製品を他社に先駆けて上市し、市場における優位性を確立しているものと認識しています。また、自社製フラッシュメモリを活用し、一般汎用品から高付加価値品まで幅広いラインアップを展開しています。

スマートデバイスにおいては、スマートフォン、タブレット、ウェアラブルデバイス、テレビ等の民生機器、車載、産業機器など、幅広いアプリケーションで利用される制御機能付きの組み込み式メモリ製品群に注力しています。特にスマートフォン向けメモリ製品の市場は依然として規模が大きく、成長しているアプリケーションであり、当社グループにとって重要なマーケットとなっております。

また、その他には、SDメモリカード、USBメモリ等のリテール向け製品及び製造合弁会社３社経由で計上されるSandiskグループ向けの売上収益等が含まれます。

今後も製品ラインアップの強化とサポート体制の強化により、市場でのプレゼンス向上を目指します。

アプリケーション別売上収益比率（2026年３月期）（注６）

（注）１．不揮発性半導体メモリとは、電源を切っても記憶が消えないメモリです。

２．微細化とは、メモリチップの中の回路線幅を狭くすることでメモリセル（１ビットの情報を保持するために必要な回路構成）の面積を縮小する技術です。

３．積層化技術とは、メモリセルを多層構造にする技術です。

４．CBAとは、メモリセルの制御を担うCMOS回路とメモリセルアレイを２枚のウエハーに別々に作製し、その後２枚のウエハーを貼り合わせる技術です。

５．OPSとは、選択ゲート分離体を、メモリ機能を持つメモリストリング間に配置し、ダミーメモリストリングを削除することで、メモリ密度を高める技術です。

６．小数点以下第２位を四捨五入しております。

（事業系統図）

○印は連結子会社、※印は関連会社等です。

（注） キオクシア株式会社及びキオクシアシステムズ株式会社のほか、キオクシアエンジニアリング株式会社において研究開発活動を行っています。また、キオクシアイスラエル社とキオクシアテクノロジーUK社においてはSSDソフトウェア・SSD製品に係る研究開発活動を、Solid State Storage Technology CorporationにおいてはSSD製品に係る研究開発活動を行っています。